“物理气相沉积”(PVD)涵盖了薄膜技术领域的特殊工艺。它指代一切在真空基础下运用物理方式在基片表面沉积薄膜的镀膜工艺。

溅射工艺作为最为经济的沉积方法，在众多工艺中被视作标准镀膜技术，广泛应用于多种工业领域。溅射工艺如此流行的主要原因之一，是可以在种类繁多的基材上沉积多种材料。

溅射工艺广泛应用于多种领域，例如，半导体工业表面处理、光学工业偏振滤镜的生产或建筑玻璃工业大面积表面镀膜等。

所有PVD工艺中，用于生长薄膜的材料最初均为固体形式，且常被置于工艺腔室内的某处，比如，溅射靶材中。为使材料气化且随后能以薄膜的形式聚合沉积到基材表面，工艺过程中将应用到多种方式 (例如，使用短时、高能量的射频脉冲、加电弧、通过离子或电子轰击等)。

在热蒸发沉积工艺中，用于生长薄膜的材料将被电加热器加热，直至其转化为气态。PVD方法谱系也包括分子束外延和离子束溅射镀膜。上述方法产出的薄膜纯度超高、均匀性极好，而且对基材的附着力极强。PVD镀膜比传统电化学工艺更为环保，可利用其作为替代传统电化学工艺广泛应用于多种领域。

溅射工艺是PVD(物理气相沉积)薄膜技术的一种。待镀膜材料(溅射靶材)被等离子态的离子轰击，逸出粒子进入气相态，沉积在基材表面并与之紧密粘结，形成一层超薄膜层。该工艺可在多种基材(金属、合金、氧化物和氮化物)表面均匀镀膜；可应用到从半导体硅片到建筑玻璃等广泛领域。 作为薄膜技术领域的常用镀膜方法，溅射沉积工艺在数十年内得到了广泛应用。汇成真空是溅射技术领域全球顶尖制造商，尤其在磁控管应用领域成果卓著。我公司提供反应和非反应磁控溅射特殊专业技术，范围涵盖直流(DC)、脉冲直流(脉冲DC、单极和双极)，以及中频(MF)和高频(HF)交流技术等。根据使用材料、相应膜层特性和沉积速率不同，汇成真空设备将综合应用各种不同溅射技术。 汇成真空也自行生产溅射靶材，以确保客户获得成品膜层的最佳质量体验。若客户所需镀膜材料无法直接生产或通过单靶反应生成，我们还可提供共溅射技术，即在同一沉积工艺中使用两种或两种以上不同靶材。对于研发型多功能设备而言，仅配备一套靶材的共焦排列磁控共溅射工艺是典型的极具吸引力的解决方案，因为它能够极尽灵活地调整膜层成分。

热蒸发沉积工艺支持在基材上制备铜、银或金等金属膜，或二氧化硅及氧化铟锡等其它材料的薄膜。该工艺也适用于有机半导体基材镀膜。热蒸发沉积工艺也被应用于CIGS太阳能电池 (铜、铟、镓、硒共蒸发)以及有机太阳能电池(单体蒸发)的生产。

热蒸发沉积，与溅射沉积类似，也是一种PVD(物理气相沉积)薄膜工艺。过程中，镀料将被加热，直至蒸发(液体)或升华(固体)，生成的气相粒子将沉积在基材表面并生长为成品膜层。

热蒸发与其它多数PVD工艺类似，均为高真空工艺，也可实现反应式热蒸发工艺：比如，通过向真空腔室内通入离子化的氧气可提升氧化铟锡的沉积性能。

与其它PVD薄膜工艺不同，热蒸发能够根据不同的蒸发材料和所需膜层性能，实现极高的沉积速率。为保证蒸发工艺参数最佳化，汇成真空可提供配备不同种类蒸发源的设备，比如坩埚或蒸发舟、线性镀或喷镀以及特种蒸发源等。

低温20欧姆，膜层透过率>95%，薄膜方阻20±2Ω/□。 用于网格镀膜设备结合特殊后处理技术可在基板温度低于80度的前提下镀制出电阻率接近高温情况下生产的ITO薄膜，而不损伤到基板材料。该技术可用在多种不能在高温状态下生产的基板材料。

在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中，由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下，200 到500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备，因此该技术降低了基材的温度负荷。

等离子可在接近基片的周围被激发(近程等离子法)。而对于半导体硅片等敏感型基材，辐射和离子轰击可能损坏基材。

另一方面，在远程等离子法中，等离子体与基材间设有空间隔断。隔断不仅能够保护基材，也允许激发混合工艺气体的特定成分。然而，为保证化学反应在被激活的粒子真正抵达基材表面时才开始进行，需精心设计工艺过程。

“低温CVD”工艺应用范围十分广泛，汇成真空在该领域拥有多年经验。对于无法承受高温的基材，PECVD工艺是极具吸引力的替代方案。例如，该工艺支持在塑料膜材上制备功能薄膜。

由于高温下的扩散工艺可能会破坏掺杂剖面，所以PECVD镀膜工艺被广泛应用到半导体领域中。此外，PECVD工艺也可用于制备微电子器件所需的多晶硅、氮化硅或氧化硅等多种复合材料。

汇成真空的PECVD设备可根据客户需求专业定制并根据其预期工艺指标专业适配。我们也经常在溅射设备内配置PECVD工艺模块，拓展技术能力。汇成真空极具竞争力的设备价格和最佳设备质量一定会使您心动。

原子层沉积(ALD)是可以将物质以单原子膜形式过循环反应逐层沉积在基底表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处，但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联，因此该方式每次反应只沉积一层原子。在ALD工艺过程中，通过将不同的反应前驱体以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此具有自限制生长的特点，可精确控制薄膜的厚度，制备的薄膜具有均匀的厚度和优异的一致性，台阶覆盖率高，特别适合深槽结构中的薄膜生长，对于多维结构体表面精确成膜需求具有不可替代的应用。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，因此在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、DRAM和3D NAND制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。