ALD equipment for perovskite 钙钛矿ALD原子层沉积设备
热型ALD/等离子体增强型ALD,配置独立表面清洗、溅射、反应溅射腔,实现多膜层在真空条件下切换成膜,交替引入不同化学气相前驱体,进行自限制化学反应,逐层成膜,精确控制薄膜生长,实现原子级别厚度控制,实现高度均匀涂层覆盖,包括具有微观或甚至纳米级别结构表面,独立运行反应腔体,确保最大化设备运行率。
HCALD系列
钙钛矿ALD设备
热型ALD/等离子体增强型ALD,配置独立表面清洗、溅射、反应溅射腔,实现多膜层在真空条件下切换成膜,交替引入不同化学气相前驱体,进行自限制化学反应,逐层成膜,精确控制薄膜生长,实现原子级别厚度控制,实现高度均匀涂层覆盖,包括具有微观或甚至纳米级别结构表面,独立运行反应腔体,确保最大化设备运行率。
型号 | HCALD |
基板尺寸 | 200×200mm太阳电池片 |
镀膜类型 | Al2O3、SiO2、TiO2、ZnO、SnO2、HfO2, ZrO2等 |
应用 | CdTe、钙钛矿、PERC、HJT、IBC、TOPCON等太阳电池,包括钝化层、透明导电层、水汽阻隔层、电子传输层、空穴传输层等 |
前驱体 | ①3路前驱体供给系统; ②液态、固态、气态 |
成膜室抽速 | 8.0x10-2Pa≤25min |
沉积温度 | 50~400℃ |
沉积速率 | 8秒/周期 |
薄膜均匀性 | ±1.0% |
选配 | 可配臭氧源和等离子体源 |