原子层沉积
ALD涂层设备
原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是通过气相前驱体及反应物脉冲交替的通入反应腔并在基底上发生表面化学反应形成薄膜的一种方法，通过自限制性的前驱体交替饱和反应获得厚度、组分、形貌及结构在纳米尺度上高度可控的薄膜。
ALD设备提供创新和灵活的设计，为MEMS和复杂的3D表面沉积高质量的光学薄膜，显着提高镀膜产品的性能和使用寿命，设备运行速度快、可靠性高且极易维护。
特点：
•热法原子层沉积(TALD)和等离子增强原子层沉积(PEALD)可选
•批量镀膜加工（基材尺寸：8"，10"，12"）
•低温工艺，塑料基材可镀
•3D表面镀膜高保形性
•薄膜均匀、光滑、致密、无针孔
•膜厚精确控制
| 型号 | HC-ALD10 |
| 真空室 | Φ800 x H1300mm |
| 成膜室 | Φ350 x H1000mm |
| 成膜室抽速 | 8.0×10-2Pa≤25min |
| 成膜室极限真空度 | 8.0×10-4Pa |
| 沉积温度 | Max. 130℃ |
| 基片架 | 10"×48pcs |
| 等离子源 | RF 等离子体源 |
| 前驱体供给源 | 前驱体源瓶、ALD 阀门、前驱体（BDEAS、TMA等） |
| 排气系统 | 干泵 + 低温泵 |
| 型号 | HC-ALD10 |
| 真空室 | Φ1000 x H1300mm |
| 成膜室 | Φ400 x H1000mm |
| 成膜室抽速 | 8.0×10-2Pa≤25min |
| 成膜室极限真空度 | 8.0×10-4Pa |
| 沉积温度 | Max. 130℃ |
| 基片架 | 12"×48pcs |
| 等离子源 | RF 等离子体源 |
| 前驱体供给源 | 前驱体源瓶、ALD 阀门、前驱体（BDEAS、TMA等） |
| 排气系统 | 干泵 + 低温泵 |
HCVAC-PVD
