高速率
离子束辅助沉积及清洗
HC-RFⅠ的离子辅助蒸度高性能射频（RF）离子源，最适于在高速率下的离子束辅助沉积（IAD）及清洗。搭载在汇成的真空镀膜设备上最适于各种光学滤光片的中规模量产。
HC-RFⅡ Plus是OIS-Two的延伸机型。在离子辅助蒸镀大电流大面积的性能方面加以进化的RF离子源，维护性能的优化及中和器的改良，提高冷却效率来达到稳定生产的效果。适用于在高速率下离子束辅助沉积（IAD）及清洗。搭载在汇成的真空镀膜设备上可适合于各种光学滤光片的大规模量产。
可用于惰性及反应气氛环境下，工作电流可达90mA，工作电压可达3000V。栅网口径虽然只有10CM，但是设计上充分考虑到高电流密度，均一性，搭载在成膜设备进行工件架的全面照射，最适于各种光学滤光片的中规模量产，试制，研究开发。
应用领域包括半导体、基板预清洗、离子辅助(ITO和Ag辅助沉积)、刻蚀/纳米纹理/去涂层、PACVD-DLC沉积及离子束沉积等。
汇成自主研发离子源
高离子电流密度和均匀分布
照射面积能达到Ф1150mm以上
动作安定性高，能长时间运转
寿命长，污染少
易于操作和维护
| 型号 | HC-RFⅠ |
| 尺寸 | φ300mm × 150mm (H) |
| 栅网尺寸 | Ф 17cm(Molybdenum制3枚) |
| 离子束电压 | 100V～1500V |
| 离子束电流 | 1000mA |
| Acc电压 | 100V～1000V |
| RF功率 | 600W |
| 气体流量 |
20sccm～30sccm（氩气） 40sccm～60sccm（氧气） |
| 使用压力 | 5 × 10-2 Pa |
| 水冷方式 | RF线圈和本体 |
| 型号 | HC-RFⅡ |
| 尺寸 | φ300mm × 150mm (H) |
| 栅网尺寸 | Ф 17cm(Molybdenum制3枚) |
| 离子束电压 | 100V～1500V |
| 离子束电流 | 1200mA |
| Acc电压 | 100V～1000V |
| RF功率 | 750W/1000W |
| 气体流量 |
20sccm～30sccm（氩气） 40sccm～60sccm（氧气） |
| 使用压力 | 5 × 10-2 Pa |
| 水冷方式 | RF线圈和本体 |
| 型号 | HC-RFⅢ |
| 尺寸 | φ 390mm × 215mm(H) |
| 栅网尺寸 | Ф 23cm(Molybdenum制3枚) |
| 离子束电压 | 100V～1500V |
| 离子束电流 | 1800mA/2400mA |
| Acc电压 | 100V～1000V |
| RF功率 | 2000W |
| 气体流量 |
20sccm～40sccm（氩气） 40sccm～80sccm（氩气） |
| 使用压力 | 5 × 10-2 Pa |
| 水冷方式 | RF线圈和本体 |
| 型号 | HC-RFⅣ |
| 尺寸 | φ 224mm ×143mm (H) |
| 栅网尺寸 | Ф 10cm(Molybdenum制3枚) |
| 离子束电压 | 100V～1500V |
| 离子束电流 | 500mA(max) |
| Acc电压 | 100V～1000V |
| RF功率 | 600W(max) |
| 气体流量 |
25sccm～35sccm（氩气） 10sccm～20sccm（氩气） |
| 使用压力 | 5.0 ×10-2 Pa |
| 水冷方式 | RF线圈和本体 |
HCVAC-PVD
