随着 AI 算力的快速发展，对更高带宽、更高速传输以及更高集成度的需求不断提升，先进封装与光子集成技术正成为下一代 AI 基础设施的重要支撑。
汇成真空聚焦先进封装关键工艺，为 CPO、RDL、TGV/TSV、FOPLP 等应用提供高精度真空镀膜解决方案，实现高均匀性、高精度、高稳定性的薄膜沉积，满足先进制造对工艺一致性与量产可靠性的严苛要求。
通过高精度薄膜沉积，实现光学元件、反射膜层及金属互连层的制备，满足 CPO 对低光损耗、高耦合效率和高速光互连的严苛要求，为 AI 数据中心高速光通信提供可靠支撑。
提供高均匀性的种子层及金属化薄膜沉积，为芯片与基板之间的精细重布线提供稳定支撑，实现优异的附着力、低电阻及高可靠性的信号传输。
采用高精度磁控溅射技术，在高深宽比通孔内形成均匀连续的种子层及导电薄膜，为垂直互连提供优异的侧壁覆盖率、导电性能及工艺一致性。
在铜电镀前沉积铜种子层、阻挡层及粘附层，为大尺寸 Panel 基板提供均匀金属化基础，支撑精细 RDL 制作、高良率铜电镀及高密度互连结构的形成。
先进 AI 封装制造并非依赖单一薄膜沉积技术，而是结合多种真空工艺协同完成。根据不同工艺需求，通常包括等离子体表面处理、软刻蚀、磁控溅射（PVD）、PECVD 以及 ALD/PEALD等关键工艺，用于形成导电层、介电层、阻挡层、钝化层及各类功能薄膜。
汇成真空集群式镀膜平台将这些核心工艺模块集成于同一真空环境中，可为 CPO、RDL、TGV、FOPLP 等先进封装应用提供灵活、高效的多工艺集成解决方案。
AI 先进封装依赖多种薄膜材料构建高可靠性的电互连结构和功能薄膜。常见材料包括：用于种子层及互连层的铜（Cu）；用于粘附层和阻挡层的钛（Ti）及钛钨（TiW）；用于扩散阻挡层的钽（Ta）及氮化钽（TaN）；以及用于绝缘和钝化的介电薄膜，如二氧化硅（SiO₂）和氮化硅（SiN）。
HCVAC 真空镀膜系统可支持多种金属及介电薄膜材料的沉积，满足先进封装制造过程中多样化的工艺需求。
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