等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术
在等离子体增强化学气相沉积技术中，等离子体有效促进了化学反应过程。借助等离子体的活化作用，工艺温度可降至200-500℃区间内实现高质量薄膜制备，显著降低了基体的热负载压力。
技术实现路径
▌短程等离子体法
将等离子体激发区域设置在基片附近。但该方式存在的辐射与离子轰击效应，可能对半导体硅片等敏感基材造成损伤。
▌远程等离子体法
通过空间隔离设计，在等离子体与基片之间建立物理屏障。该方案既能有效保护基片，又可选择性激活混合工艺气体中的特定组分。需要注意的是，为确保活化粒子抵达基片表面时仍能有效引发化学反应，必须对工艺参数进行精密调控。
低温CVD技术与应用
“低温CVD”工艺具有广泛的应用前景，汇成真空在此领域拥有深厚的技术积累。对于耐热性较差的基材而言，PECVD工艺是一种理想的解决方案，例如可在塑料薄膜表面实现功能化镀层的制备。
在半导体制造领域，PECVD技术能有效避免高温工艺导致的掺杂轮廓破坏，因而获得广泛应用。该技术还可用于制备微电子器件所需的多种关键材料，包括多晶硅、氮化硅及氧化硅复合薄膜等。
HCVAC的PECVD设备支持根据客户工艺指标进行定制化设计，我们常将PECVD工艺模块集成于溅射设备中，以拓展系统综合技术能力。凭借极具竞争力的设备价格与卓越的设备品质，我们致力于为客户创造超乎预期的价值体验。
