原子层沉积（ALD）技术
原子层沉积是一种能以外延生长方式在基体表面逐层形成单原子薄膜的先进技术，可在复杂三维形貌的基体表面构建全覆盖薄膜。
该技术与常规化学气相沉积原理相近，但其特殊性在于：每一层新生原子膜层的化学反应都直接与上一层表面结构精确关联，这种自限制反应机制确保了每个周期仅能沉积单原子层厚度。
技术特性与应用
在原子层沉积工艺过程中，不同的反应前驱体以气体脉冲形式交替送入反应腔室。这种独特的运作机制使其具备自限制生长特性，可实现膜层厚度的精确控制。所制备的薄膜不仅厚度均匀、一致性优异，更具备极高的台阶覆盖能力，特别适用于深槽结构内的薄膜生长，在多维结构表面实现精准成膜的需求中具有不可替代的应用价值。
由于ALD设备能够实现高深宽比结构、极窄沟槽开口的完美台阶覆盖以及精准的膜厚控制，该技术已成为制造先进逻辑芯片、DRAM和3D NAND等具有复杂结构及精密膜厚要求产品的核心装备之一。
应用领域
▸高介电常数材料（功率器件、射频器件）
▸抗反射涂层（光学涂层、LED与光子学、AR/VR 光学）
▸防潮与封装（电子器件、先进封装、珠宝首饰）
▸表面钝化（功率器件、LED与光子学、射频器件）
▸化学阻挡层（电池、半导体零件涂层、射频器件、MEMS）
