一块光通信芯片、一片光学晶圆、一块用于先进封装的玻璃基板，看起来属于不同的产品，却都离不开一个关键工艺——薄膜沉积。
随着AI算力增长，高速光互连、硅光、CPO和先进封装持续向更高集成度发展，薄膜也不再只是器件表面的一层材料，而是逐渐深入光学器件、晶圆制造和先进封装等环节。
膜层厚度、均匀性、界面质量，以及不同材料之间的工艺衔接，都会直接影响器件最终表现。
继上一期超高精密光学装备之后，CIOE 2026，HCVAC将带来覆盖精密光学、光通信、先进封装及泛半导体制造的多系列薄膜沉积平台。
对于DFB激光器、EML、SOA、PD等器件，膜层需要在特定波段实现准确的光学响应，同时兼顾晶圆范围内的均匀性和批量生产的一致性。
HCSO系列高精度光学薄膜设备面向光通信及晶圆级光学应用，支持4–12英寸自动化基材传输，并具备在线光学监控能力。
可应用于：
DFB激光器AR/HR膜｜EML吸收优化膜｜SOA/PD增透膜｜光学滤光片｜光电器件晶圆功能膜
设备支持射频、直流及中频溅射模式，可覆盖SiO₂、TiO₂、Ta₂O₅、SiNx等多种薄膜体系。
高精度｜高重复性｜在线监控｜晶圆级制造
当先进封装开始更多采用玻璃基板，TGV/TCV等互连技术也进入了新的工艺探索阶段。
对于TGV/TCV金属化，薄膜沉积承担着重要作用。种子层、阻挡层以及导电层需要在复杂结构表面形成连续、可靠的薄膜。
HCVAC LOAD-LOCK溅射平台，正是面向这一类研发和中试需求设计，可用于TGV/TCV金属化、先进玻璃互连及泛半导体薄膜工艺开发。
工艺开发过程中，几个问题尤其关键：
孔壁覆盖率、金属连续性、附着力、膜层应力，以及热循环后的可靠性。
这些指标最终都会影响后续金属互连和封装结构的稳定性。
Load-Lock架构｜快速工艺切换｜多材料沉积｜研发中试
当产品进入更复杂的制造阶段，单一镀膜工艺往往难以覆盖全部需求。金属膜、介质膜、阻挡层、种子层、功能层和保护层，可能需要不同的沉积方法。如果这些工艺之间频繁转移基材，界面污染和工艺波动也会随之增加。
平台可集成：
Sputtering磁控溅射｜PECVD｜ALD
不同工艺腔体相对独立运行，同时实现多工艺协同处理，有助于减少工艺衔接过程中的界面污染，并提升整体一致性。
应用方向包括：
功率器件｜MEMS｜光子器件｜射频器件｜高附加值电子制造
对于研发到量产的不同阶段，模块化架构也意味着设备可以根据工艺需求持续扩展。
器件尺寸不断缩小，结构却越来越复杂。
面对深沟槽、孔洞以及各种三维微纳结构，传统沉积方式容易受到结构遮蔽影响，膜层很难在不同位置保持一致。
这正是ALD工艺的价值所在。
HCALD系列原子层沉积设备面向光学、泛半导体、新能源及柔性电子等领域
原子层级｜高保形｜高均匀性｜超薄膜沉积
从光通信器件，到晶圆级光学；从TGV玻璃互连，到泛半导体制造，薄膜沉积正在进入越来越多的关键工艺环节。
HCVAC此次带来的设备，也不再局限于单一应用。
从材料验证，到工艺开发；
从样品研发，到中试导入；
再到面向量产的工艺平台建设。
HCVAC正在围绕不同材料、不同器件和不同制造阶段，持续完善薄膜沉积装备体系。
HCVAC超高精密光学薄膜沉积装备亮相
展馆：7号馆
展位：7C53
更多高精密光学、精密光学及光学镀膜设备亮点，敬请关注《CIOE 2026展品前瞻》系列。
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