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前沿技术
PVD Coating Technology
PVD Coating

PVD镀膜技术

PVD(物理气相沉积)是一种在真空环境下,利用物理方法将材料源(固体或液体)气化成原子、分子或使其部分电离成离子,然后通过低压气体(或等离子体)过程,在基体(工件)表面沉积具有特定功能的薄膜的技术。PVD涂层绿色环保,广泛应用于工具与模具、装饰与外观、半导体与微电子、光学器件、汽车、航空、医疗等。

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ALD Coating

ALD Coating Technology

Atomic layer deposition (ALD) is a technique used to deposit thin films one atomic layer at a time. This technology is highly precise and offers excellent control over the film thickness.

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CVD Coating

CVD Coating Technology

Chemical vapor deposition (CVD) is a process used to produce thin films through chemical reactions that occur when gas-phase precursors react on the substrate surface.

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HIPIMS

采用高功率脉冲等离子体技术,获得高电离率与致密均匀镀层。

HIPIMS

PVD溅射

利用磁场增强等离子体,将靶材原子溅射到基片上。

Magnetron sputtering

PVD电弧蒸发

利用真空电弧使靶材蒸发,使其以离子形式沉积于基片上。

Multiple Arcs

PVD电子束蒸发

利用高能电子束加热并蒸发材料,实现薄膜沉积。

Electron beam evaporation

PVD热蒸发

通过电阻加热使材料蒸发,从而形成薄膜。

evaporation

ALD沉积技术

原子层沉积(ALD)是一种能够以单原子膜的形式逐层在基片表面沉积材料的方法,从而在具有复杂形貌的基片表面形成全覆盖薄膜。

TALD

热型原子层沉积(TALD)技术利用热能,通过顺序表面反应在基体上逐层沉积原子层,从而实现对薄膜的精确控制。

PEALD

等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术利用等离子体来增强原子层沉积过程中的化学反应,从而能够在更低的温度下进行沉积,并兼容更广泛的材料。

CVD镀膜技术

化学气相沉积(CVD)通过将反应气体通入腔室,使其在加热的基片表面发生化学反应或分解,从而形成高纯度、均匀的固态薄膜涂层。

ALD

原子层沉积(ALD)通过逐层沉积单原子层的方式,即便在复杂的三维结构表面也能实现均匀、保形的薄膜覆盖。

Atomic-layer-deposition

PECVD

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术利用等离子体增强化学反应,从而能够在较低温度下实现薄膜沉积。

PECVD

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