CVD技术

化学气相沉积（CVD）技术

化学气相沉积是一项成熟的薄膜制备技术，其特点是通过气态物质在加热基片表面发生化学反应，从而形成固态薄膜。HCVAC针对线材、光纤等特殊基材的碳化硅/氮化硅沉积需求，提供专业CVD工艺解决方案。

工艺特性

• 高温环境：沉积过程需在500℃以上高温环境中进行，伴随高能量输入

• 真空保障：真空腔体既能降低材料熔点，又能避免副反应发生，确保前驱体有效汽化

• 三维覆盖：相较于PVD技术，CVD具备对复杂三维结构实现均匀包覆的独特优势

• 精密加工：该技术同样适用于硅片表面微纳结构的精确制备

前驱体选择
CVD工艺成功的关键在于选用合适的前驱体材料。例如：

• 氮化硅沉积采用氨气与二氯硅烷作为前驱体

• 平板玻璃SnO₂隔热镀膜选用氯化亚锡/有机锡化合物与氧气/水蒸气组合

• 所得SnO₂涂层兼具隔热效能与机械防护功能

工艺控制
基材表面状态直接影响薄膜生长质量。通过精确的工艺设计，可实现选区沉积（如仅在导电区而非绝缘区成膜），这种选择性镀膜特性使CVD与PECVD技术在微电子领域广受青睐。

HCVAC设备特色

• 基片直触电极，最高加热温度达1200℃

• 顶电极”淋浴头”式气体注入系统

• 配备固/液前驱体输送系统，支持二维材料MOCVD、氧化锌纳米线等新型工艺

• 自动传递锁腔可将样品直接移载至预热台，大幅缩减升降温周期

• 可选配等离子体增强功能，实现低温沉积、等离子体辅助转化/功能化及腔室清洁

• 单腔体兼容多种工艺路线

HCVAC依托具有价格竞争力的定制化设备，结合可集成于溅射镀膜系统的CVD/PECVD工艺模块，为客户提供卓越的产品质量、优质用户体验与稳定的组件性能。