该系列设备具备多种DLC涂层沉积技术，模块化的涂层设备设计，可根据客产品应用需求，单独或组合过滤阴极电弧，闭合场磁控溅射，PACVD和离子源技术模块于DLC沉积设备，适用于多种科学研究，产品开发和批量生产的要求。技术先进，操作方便，能量消耗少，绿色环保等特点，广泛应用于机械，电子，光学，能源，装饰等领域。
HCVAC开发的DLC涂层，具有良好的附着性，高的硬度和耐磨性，低的摩擦系数，低的表面粗糙度，能在多种金属与合金工模具或零件表面沉积DLC涂层。独特的低温涂层技术，还能适用于在塑胶等不耐高温的材料上沉积DLC涂层。
占地面积小，易于集成到工厂
整个腔室中均匀的镀膜沉积速率
易于操作维护
多种工艺技术灵活组合
耐用类金刚石涂层镀膜
本地或远程监控镀膜过程
DLC涂层具有较高的硬度、优异的减摩耐磨性能、高热导率、低介 电常数、宽带隙、良好的光学透过性以及优异的化学惰性和生物兼容性等，在航空航天、机械、电子、光学、装饰外观保护、生物医学等领域有着广阔的应用前景。DLC涂层适合于磨损和滑动的环境下，在没有任何润滑介质的条件下，可以降低摩擦损耗，可以用于汽车发动机零部件（燃油喷射系统、动力传动系统）、轴承、滚轮、纺织机械、航空航天等众多领域。
DLC涂层设备制备的DLC涂层（类金刚石涂层），具备质量稳定，与基体结合力好，耐磨性好，摩擦系数低，耐腐蚀性好等综合优良性能。广泛应用于发动机零部件，有色金属切削刀具，有色金属及不锈钢等成型冲压模具，滑动密封部件，半导体行业模具，注塑模具，纺织行业等。
针对不同的行业，并根据客户不同的要求及材料，我们运用不同的工艺及制备方法，设计出相适应的DLC涂层设备，以满足客户的需要。
DLC涂层特点：
1、是一个很好的自润滑塑料加工应用涂层；
2、涂层特别致密，不起化学作用，沉积膜是1～3μm，硬度是2000HV～2500HV；
3、具有优异的摩擦磨损性能，耐高温350℃，并具有很高的耐粘接剂和磨粒磨损；
4、快速、可预见的脱模大大提高质量和生产率，是PECVD涂层塑料加工的首选。
创新的APA蒸发器技术（先进的等离子辅助）基于阴极真空电弧，为新的层结构提供了多种开发可能性。
优势：
●靶材使用率高，降低靶材成本
●沉积率高
●磁场可调节
●靶材更换时间短
●等离子体密度高
●完美的涂层结合力
HiPIMS代表高功率脉冲磁控溅射。
优势：
●离化率高（类似于电弧法）
●高功率密度，从 100 到1000 W/cm2
●等离子密度非常高
●可以通过等离子参数设置来调节层结构
●涂层非常光滑
●完美的涂层结合力
●在低基材温度下沉积致密的涂层
在溅射工艺中，通过高能离子（Ar）轰击靶材，分离成原子进而转化成气相。通过结合溅射材料和其他气体，将涂层沉积在基材上。
优势：
●可以溅射多种材料
●多种工艺变量可用
●光滑的涂层
●结合功率刻蚀工艺AEGD获得好的涂层结合力
使用氮化模块，可在同一个系统、同一个批次，在PVD和/或PACVD涂层工艺之前进行等离子氮化工艺。由此生成一个硬化层，为后续的PVD/PACVD涂层提供完美的支撑。
优势：
●优化工具和零部件属性
●替代昂贵的基材
●显著延长寿命
●可以应用所有PVD涂层
DLC就是类金刚石涂层，指一系列具有超低摩擦系数的非晶碳涂层。使用DLC模块，可以通过使用PVD和/或PACVD工艺来生成不同的DLC涂层。标准DLC涂层包括不含金属或含金属的碳基涂层。
优势：
●完美的涂层结合力
●高耐磨性
●低摩擦系数
●光滑的涂层
ta-C 就是不含氢的四面体非晶碳，指的是一组极硬、低摩擦的非晶碳涂层。使用ta-C模块可以生产不同的ta-C涂层。
优势：
●适用于比DLC更高的温度环境
●非常高的耐磨性
●完美的涂层结合力
●光滑的涂层
| 型号 | HCSH-400 |
| 有效等离子区域 | D400×H450mm |
| 最高工作温度 | 550℃ |
| 技术特点 | PMAⅡ EFC AEG HIPIMS |
| 预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS |
| 阴极 | D120 / D160 / W125 |
| 真空条件 | 极限真空≤5×10-4Pa 工作真空≤5×10-3Pa |
| 工艺周期 | 关门到开门4~5h TiN：2~2.5um TiAlN：2~2.5um TiSiN：2~3.5um |
| 设备配置 | 磁悬浮分子泵 脉冲偏压电源 PC智能控制系统 |
| 标准转架 | D140×4轴 |
| 最大装载量 | 200KG |
| 备注 | 选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小 在线服务支持系统 |
| 型号 | HCSH-650 |
| 有效等离子区域 | D650×H750mm |
| 最高工作温度 | 550℃ |
| 技术特点 | PMAⅡ EFC AEG HIPIMS |
| 预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS |
| 阴极 | D120 / D160 / W125 |
| 真空条件 | 极限真空≤5×10-4Pa 工作真空≤5×10-3Pa |
| 工艺周期 | 关门到开门5~8h TiN：2~2.5um TiAlN：2~2.5um TiSiN：2~3.5um |
| 设备配置 | 磁悬浮分子泵 脉冲偏压电源 PC智能控制系统 |
| 标准转架 | D140×8轴 |
| 最大装载量 | 500KG |
| 备注 | 选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小 在线服务支持系统 |
| 型号 | HCSH-900 |
| 有效等离子区域 | D900×H1200mm |
| 最高工作温度 | 550℃ |
| 技术特点 | PMAⅡ EFC AEG HIPIMS |
| 预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS |
| 阴极 | D120 / D160 / W125 |
| 真空条件 | 极限真空≤5×10-4Pa 工作真空≤5×10-3Pa |
| 工艺周期 | 关门到开门7~10h TiN：2~2.5um TiAlN：2~2.5um TiSiN：2~3.5um |
| 设备配置 | 磁悬浮分子泵×2 脉冲偏压电源 PC智能控制系统 |
| 标准转架 | D140×12轴 |
| 最大装载量 | 500KG |
| 备注 | 选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小 在线服务支持系统 |
| 型号 | HCSH-1800 |
| 有效等离子区域 | D900×H1500mm |
| 最高工作温度 | 550℃ |
| 技术特点 | PMAⅡ EFC AEG HIPIMS |
| 预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS |
| 阴极 | D120 / D160 / W125 |
| 真空条件 | 极限真空≤5×10-4Pa 工作真空≤5×10-3Pa |
| 工艺周期 | 关门到开门7~10h TiN：2~2.5um TiAlN：2~2.5um TiSiN：2~3.5um |
| 设备配置 | 磁悬浮分子泵×2 脉冲偏压电源 PC智能控制系统 |
| 标准转架 | D140×12轴 |
| 最大装载量 | 500KG |
| 备注 | 选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小 在线服务支持系统 |
1、腔体尺寸≥L500×W500×H550 mm；有效沉积尺寸 ≥Φ400×H100 mm。
2、真空腔体采用立式 304 不锈钢结构，内壁抛光、外壁喷砂，外壁水带冷却，可承受≥0.5 MPa 压力不变形。
3、每套腔室炉门配高温强化玻璃观察窗 2 个/套，并具水冷保护与内衬挡板设计。
4、传动机构采用磁流体密封
5、传真空腔室内有2套可拆卸内衬挡板，防止沉积过程中对真空腔室内壁、阴极等造成污染。
1、极限真空度：≤4.0×10⁻⁴ Pa；本底真空：小于等于5.0×10⁻3 Pa，漏率：≤5.0×10⁻⁷ Pa·L/s。
2、抽气时间：从大气至 5×10⁻³ Pa ≤ 40 min。
3、压升率：关阀保压 12 小时后炉压≤5 Pa。
1、非平衡磁控阴极矩形靶位 4 套，磁控阴极尺寸L470×W100mm ；
2、溅射电源：可配置单极直流脉冲溅射功率 10kw,输出频率≥100KHZ，射频电源3KW，支持匹配负载阻抗，数量按照实际应用选择；
3、脉冲偏压电源 10KW 数量 1 台，输出频率：包括以下范围 10~100kHz 可调，占空比包括以下范围 10%~90% 连续可调；具备过流、过压、短路及电弧保护功能，确保镀膜过程中离子轰击能量稳定可控。
4、预处理：高压离子源 1 套，具有刻蚀清洗功能。离子源电源功率10kw。
1、配套 1套工件转台
2、具有公转+自转联动功能，转速 0–6 rpm 可调。
3、采用无油润滑密封设计，转架和真空室之间采用绝缘设计。在不通水的情况下绝缘度在 200MΩ及以上
4、带过载、卡死保护，配置移动功能，实现炉外装卸。
1、独立冷水循环系统对设备进行冷却。冷水系统满足泵组和电源等的冷却需求；
2、独立的多路冷却水流量实时监控系统，靶水路 SMC水流检测开关实时监测靶材部位的水流情况，出现异常立即急停，报警并记录取；
3、设备具有水压失压，气体失压，自动报警和互锁功能。
转速设定等功能。
可视化触摸屏控制系统进行系统控制以及工艺编程。同时，可实现泵组控制、气流量设定、气压设定与控制、温度设定与显示、工件转台转速设定等功能。
1、腔体尺寸≥L500×W500×H550 mm；有效沉积尺寸 ≥Φ400×H100 mm。
2、真空腔体采用立式 304 不锈钢结构，内壁抛光、外壁喷砂，外壁水带冷却，
可承受≥0.5 MPa 压力不变形。
3、每套腔室炉门配高温强化玻璃观察窗 2 个/套，并具水冷保护与内衬挡板设计。
4、传动机构采用磁流体密封
5、传真空腔室内有2套可拆卸内衬挡板，防止沉积过程中对真空腔室内壁、阴极等造成污染。
1、极限真空度：≤5.0×10⁻⁴ Pa；本底真空：小于等于5.0×10⁻3 Pa，漏率：≤5.0×10⁻⁷ Pa·L/s。
2、抽气时间：从大气至 5×10⁻³ Pa ≤ 40 min。
3、 压升率：关阀保压 12 小时后炉压≤5 Pa。
1、配置直径≥95mm 阴极电弧靶 ，数量≥1列，具有沉积速率快、颗粒少、靶面刻蚀平整、高真空稳弧效果好的特点；
2、弧电源：ARC 250A弧电源含靶电源线，数量≥1 台；
3、配备励磁线圈及电源，数量≥3 套；
4、偏压电源：脉冲偏压电源 10KW 数量≥1 台，输出频率：包括以下范围 10~100kHz 可调，占空比 包括以下范围 10%~90% 连续可调；具备过流、过压、短路及电弧保护功能，确保镀膜过程中离子轰击能量稳定可控。
5、预处理：汇成自主研发的AEG电弧离子刻蚀系统, 集成功能有辅助加热、清洗、刻蚀、沉积的作用，含10KW AEG离子源电源
1、配套 1套工件转台
2、具有公转+自转联动功能，转速 0–6 rpm 可调。
3、采用无油润滑密封设计，转架和真空室之间采用绝缘设计。在不通水的情况下绝缘度在 200MΩ及以上
4、带过载、卡死保护，配置移动功能，实现炉外装卸。
1、独立冷水循环系统对设备进行冷却。冷水系统满足泵组和电源等的冷却需求；
2、独立的多路冷却水流量实时监控系统，靶水路 SMC水流检测开关实时监测靶材部位的水流情况，出现异常立即急停，报警并记录取；
3、设备具有水压失压，气体失压，自动报警和互锁功能。
可视化触摸屏控制系统进行系统控制以及工艺编程。同时，可实现泵组控制、气流量设定、气压设定与控制、温度设定与显示、工件转台转速设定等功能。
