汇成真空基于自主PMA II和EFC专利技术，打造了新一代多功能涂层系统，支持ARC、MS、HIPIMS等多种工艺组合，满足刀具、模具、零部件及DLC、GLC、ta-C等碳基涂层的多样化需求。
产品广泛应用于科研、半导体、刀具、模具、医疗器械、新能源等领域，能沉积AlTiN、TiAlN、AlTiXN、AlCrN、AlCrXN、TiSiN、CrN、TiN等氮化物涂层，以及ta-C、类石墨、Cr+a-C、Cr+a-C:H、W+a-C、W+a-C:H等碳基及PECVD涂层。
汇成涂层助力客户提升加工效率与刀具寿命，降低成本，实现高效、高质量制造。
占地面积小，易于集成到工厂
整个腔室中均匀的镀膜沉积速率
易于操作维护
多种工艺技术灵活组合
单件镀膜成本低
本地或远程监控镀膜过程
创新的APA蒸发器技术（先进的等离子辅助）基于阴极真空电弧，为新的层结构提供了多种开发可能性。
优势：
●靶材使用率高，降低靶材成本
●沉积率高
●磁场可调节
●靶材更换时间短
●等离子体密度高
●完美的涂层结合力
HiPIMS代表高功率脉冲磁控溅射。
优势：
●离化率高（类似于电弧法）
●高功率密度，从 100 到1000 W/cm2
●等离子密度非常高
●可以通过等离子参数设置来调节层结构
●涂层非常光滑
●完美的涂层结合力
●在低基材温度下沉积致密的涂层
在溅射工艺中，通过高能离子（Ar）轰击靶材，分离成原子进而转化成气相。通过结合溅射材料和其他气体，将涂层沉积在基材上。
优势：
●可以溅射多种材料
●多种工艺变量可用
●光滑的涂层
●结合功率刻蚀工艺AEGD获得好的涂层结合力
使用氮化模块，可在同一个系统、同一个批次，在PVD和/或PACVD涂层工艺之前进行等离子氮化工艺。由此生成一个硬化层，为后续的PVD/PACVD涂层提供完美的支撑。
优势：
●优化工具和零部件属性
●替代昂贵的基材
●显著延长寿命
●可以应用所有PVD涂层
DLC就是类金刚石涂层，指一系列具有超低摩擦系数的非晶碳涂层。使用DLC模块，可以通过使用PVD和/或PACVD工艺来生成不同的DLC涂层。标准DLC涂层包括不含金属或含金属的碳基涂层。
优势：
●完美的涂层结合力
●高耐磨性
●低摩擦系数
●光滑的涂层
ta-C 就是不含氢的四面体非晶碳，指的是一组极硬、低摩擦的非晶碳涂层。使用ta-C模块可以生产不同的ta-C涂层。
优势：
●适用于比DLC更高的温度环境
●非常高的耐磨性
●完美的涂层结合力
●光滑的涂层
| 型号 | HCSH-400 |
| 有效等离子区域 | D400×H450mm |
| 最高工作温度 | 550℃ |
| 技术特点 | PMAⅡ EFC AEG HIPIMS |
| 预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS |
| 阴极 | D120 / D160 / W125 |
| 真空条件 | 极限真空≤5×10-4Pa 工作真空≤5×10-3Pa |
| 工艺周期 | 关门到开门4~5h TiN：2~2.5um TiAlN：2~2.5um TiSiN：2~3.5um |
| 设备配置 | 磁悬浮分子泵 脉冲偏压电源 PC智能控制系统 |
| 标准转架 | D140×4轴 |
| 最大装载量 | 200KG |
| 备注 | 选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小 在线服务支持系统 |
| 型号 | HCSH-650 |
| 有效等离子区域 | D650×H750mm |
| 最高工作温度 | 550℃ |
| 技术特点 | PMAⅡ EFC AEG HIPIMS |
| 预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS |
| 阴极 | D120 / D160 / W125 |
| 真空条件 | 极限真空≤5×10-4Pa 工作真空≤5×10-3Pa |
| 工艺周期 | 关门到开门5~8h TiN：2~2.5um TiAlN：2~2.5um TiSiN：2~3.5um |
| 设备配置 | 磁悬浮分子泵 脉冲偏压电源 PC智能控制系统 |
| 标准转架 | D140×8轴 |
| 最大装载量 | 500KG |
| 备注 | 选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小 在线服务支持系统 |
| 型号 | HCSH-900 |
| 有效等离子区域 | D900×H1200mm |
| 最高工作温度 | 550℃ |
| 技术特点 | PMAⅡ EFC AEG HIPIMS |
| 预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS |
| 阴极 | D120 / D160 / W125 |
| 真空条件 | 极限真空≤5×10-4Pa 工作真空≤5×10-3Pa |
| 工艺周期 | 关门到开门7~10h TiN：2~2.5um TiAlN：2~2.5um TiSiN：2~3.5um |
| 设备配置 | 磁悬浮分子泵×2 脉冲偏压电源 PC智能控制系统 |
| 标准转架 | D140×12轴 |
| 最大装载量 | 500KG |
| 备注 | 选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小 在线服务支持系统 |
| 型号 | HCSH-1800 |
| 有效等离子区域 | D900×H1500mm |
| 最高工作温度 | 550℃ |
| 技术特点 | PMAⅡ EFC AEG HIPIMS |
| 预处理 | ARC, AEG, DC, MF, HIPIMS |
| 阴极 | D120 / D160 / W125 |
| 真空条件 | 极限真空≤5×10-4Pa 工作真空≤5×10-3Pa |
| 工艺周期 | 关门到开门7~10h TiN：2~2.5um TiAlN：2~2.5um TiSiN：2~3.5um |
| 设备配置 | 磁悬浮分子泵×2 脉冲偏压电源 PC智能控制系统 |
| 标准转架 | D140×12轴 |
| 最大装载量 | 500KG |
| 备注 | 选用溅射（UBM，RF等）有效高度会适当减小 在线服务支持系统 |
