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TALD-Q500 时间型原子层沉积系统

外框一体式大腔体结构时序 ALD 系统,内部集成 4 套独立工艺内腔,面向大型异形零部件工业化批量镀膜打造。单腔可放置直径<500mm 大型异形工件,各内腔均配备独立喷淋头与专属进出气系统,支持分腔独立运行;标配热法 ALD 工艺,支持臭氧 ALD 工艺,可完成氧化铝等各类常见金属氧化物保护层沉积,以高性价比实现批量化生产,完美适配各类异形结构件镀膜需求。

核心技术优势

  • 一框四腔独立架构,高性价比批量化
    一体式外框集成 4 套独立工艺内腔,各腔可同步运行释放规模化产能,也可独立运行不同工艺方案;相比多台单腔设备占地更省、集成度更高,以高性价比满足异形工件工业化批量生产需求。
  • 分腔独立气路系统,工艺稳定一致
    每个内腔均配备独立喷淋头与专属进出气系统,流场均匀可控,各腔工艺互不干扰;既可保障单腔膜厚均匀性与批次一致性,也可同时开展不同膜系、不同工艺的并行生产。
  • 大空间适配异形工件,高保形全覆盖
    单腔可容纳直径<500mm 大型异形工件,适配深孔、凹凸、立体结构件;结合 ALD 原子级保形沉积特性,实现复杂形貌工件全表面无死角均匀镀膜,满足各类结构件防护需求。
  • 多工艺路线兼容,膜系覆盖全面
    标配热法 ALD 工艺,支持臭氧 ALD 工艺扩展,可稳定制备氧化铝等各类常见金属氧化物薄膜,满足耐腐蚀、耐磨、绝缘阻隔、水汽防护等多种保护层需求。
  • 工业化集成设计,运维高效便捷
    一体化外框结构紧凑占地小,集中式控制系统操作便捷;整机采用工业级高可靠设计,适配长时间连续生产,腔体维护、工件装卸高效,降低量产运维成本。

产品优势

定制化程度高

定制化

根据您的先进封装需求定制的ALD 解决方案

TGV-CGV

TGV/TSV工艺

专为先进封装中的导电通孔、绝缘层和种子层而设计

效率更高

良率更高

精确控制和高度均匀性有助于减少缺陷并改善先进封装创新和生产

具有前瞻性,助力技术迭代

前瞻性

支持更小尺寸、更多层级的先进封装设计,助力技术迭代

高精密

高精密

原子层控制以满足微米和纳米级沉积需求

高质量

优质

高密度、高保形涂层,实现均匀、可靠的覆盖

技术参数

设备型号 TALD-Q500
腔体结构 1 体外框集成 4 套独立工艺内腔,各腔独立控温、独立气路
工件兼容 单腔兼容直径<500mm 大型异形工件,支持定制载具
工艺模式 标配热 ALD,支持臭氧 ALD,支持叠层
流场设计 各腔独立喷淋进气,多级层流,保障反应气均匀扩散
适配膜系 氧化铝等主流金属氧化物薄膜,支持单层功能膜与多层叠层
可选配置 臭氧发生器、定制化工装载架

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