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TALD-D500 时间型原子层沉积系统

双腔异形基底专用时序 ALD 系统,面向三维异形零部件功能保护层批量制备打造。标配热法 ALD 工艺,支持臭氧 ALD 工艺,可完成氧化铝等各类常见金属氧化物薄膜沉积,适配深孔、凹凸结构、立体器件的高保形全覆盖沉积;腔体尺寸可根据需求定制,不局限于标准机型尺寸。

核心技术优势

  • 双腔控温设计,温场均匀一致
    采用双腔结构搭配独立分区控温系统,针对异形工件热场特性专项优化,有效消除腔体空间温差与工件受热不均,保障工艺腔内样件温度高度一致,确保薄膜沉积均匀性与批次重复性。
  • 多级层流流场,高保形均匀镀膜
    采用多级层流气流组织,避免湍流扰流,前驱体平缓、均匀扩散至深孔、凹凸及异形结构内壁与死角区域,结合 ALD 原子级保形沉积特性,实现立体工件全表面无死角均匀镀膜,膜厚一致性优异。
  • 多工艺兼容,膜系覆盖全面
    标配热法 ALD,支持臭氧 ALD 工艺,可稳定制备氧化铝等各类常见金属氧化物薄膜,满足耐腐蚀、耐磨、绝缘阻隔等防护需求。
  • 腔体尺寸定制,适配性强
    标准机型兼容 φ500mm 口径、300mm 高度工件,同时支持根据客户需求定制腔体规格,不局限于标准尺寸,适配不同规格异形工件。
  • 工业级设计,运维高效
    工业级高可靠架构适配连续批量生产,侧开门结构便于工件装卸与腔体维护,运行稳定,停机维护成本低。

产品优势

定制化程度高

定制化

根据您的先进封装需求定制的ALD 解决方案

TGV-CGV

TGV/TSV工艺

专为先进封装中的导电通孔、绝缘层和种子层而设计

效率更高

良率更高

精确控制和高度均匀性有助于减少缺陷并改善先进封装创新和生产

具有前瞻性,助力技术迭代

前瞻性

支持更小尺寸、更多层级的先进封装设计,助力技术迭代

高精密

高精密

原子层控制以满足微米和纳米级沉积需求

高质量

优质

高密度、高保形涂层,实现均匀、可靠的覆盖

技术参数

设备型号 TALD-D500
腔体结构 双腔独立设计,可独立或同步运行
工件兼容 标准兼容 φ500mm 直径、高度≤300mm 立体工件,腔体尺寸支持按需定制
工艺模式 标配热 ALD,支持臭氧 ALD
适配膜系 氧化铝等主流金属氧化物薄膜,支持单层功能膜与多层叠层
保形能力 适配深孔、凹凸、异形结构全表面保形沉积
可选配置 臭氧发生器、定制载料架

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