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TALD-B300 时间型原子层沉积系统

TALD-B300 为大容量量产批次式时序 ALD 系统,面向半导体 12 英寸(300mm)晶圆规模化产线、精密光学元件批量镀膜场景开发。单批次最高可装载 80 片 12 英寸晶圆,兼容热 ALD 与等离子增强 PEALD 两类工艺;支持单层功能薄膜与多层纳米叠层结构的原子级精准制备,完美适配 Al₂O₃、SiO₂、TiO₂等主流氧化物材料及组合叠层体系。设备支持根据客户产品结构定制专用载料架,结合 ALD 优异的保形沉积能力实现工件全表面全覆盖镀膜,尤其适配曲面光学镜头、异形器件等复杂形貌工件的批量沉积需求。

核心技术优势

  • 量产级大容量批次处理,产能效率突出
    单批次支持 80 片 12 英寸晶圆同步沉积,垂直批量装载架构匹配半导体产线运行节拍,同时兼容精密光学元件批量装载,兼顾半导体与光学领域量产产能需求,大幅提升单位时间产出。
  • 温场气流双场优化,全域膜层高一致性
    腔体通过流体动力学与热场仿真双重优化,在大装载空间内实现全域温度均匀分布与前驱体气流均匀覆盖;无论是单层薄膜还是多层纳米叠层,均能实现优异的片内均匀性、片间一致性与批次重复性,满足高精度膜层量产要求。
  • 定制化料架适配,全表面全覆盖镀膜
    支持根据客户产品结构、形貌定制专用载料架,优化工件排布与气流路径,结合 ALD 原子级保形沉积特性,实现平面、曲面、沟槽及异形结构件的全表面无死角全覆盖镀膜,完美适配光学镜头、复杂器件等特殊形貌产品的批量镀膜需求。
  • 双工艺路线兼容,适配多元材料体系
    同时支持热 ALD 与等离子增强 PEALD 双工艺路线,可根据材料特性与器件需求灵活选择:热 ALD 工艺实现高致密度结晶膜层,PEALD 工艺实现低温高质量沉积,覆盖多元材料与应用场景。
  • 量产级高可靠架构,长周期稳定稼动
    整机采用工业级量产设备标准架构设计,核心部件均适配 7×24 小时连续运行工况;腔体密封、高精度气路、等离子体单元均经过长期可靠性验证,保障产线持续稳定运行,降低非计划停机风险。

产品优势

定制化程度高

定制化

根据您的先进封装需求定制的ALD 解决方案

TGV-CGV

TGV/TSV工艺

专为先进封装中的导电通孔、绝缘层和种子层而设计

效率更高

良率更高

精确控制和高度均匀性有助于减少缺陷并改善先进封装创新和生产

具有前瞻性,助力技术迭代

前瞻性

支持更小尺寸、更多层级的先进封装设计,助力技术迭代

高精密

高精密

原子层控制以满足微米和纳米级沉积需求

高质量

优质

高密度、高保形涂层,实现均匀、可靠的覆盖

技术参数

设备型号 TALD-B300
处理能力 单批次最大装载 80 片 12 英寸(300mm)晶圆,兼容平面晶圆与曲面光学元件批量装载
载料适配 支持根据客户产品结构定制专用料架,适配平面、曲面及异形结构件全表面全覆盖镀膜
温控体系 衬底、腔体、气路多段独立精准控温
适配膜系 Al₂O₃、SiO₂、TiO₂ 等氧化物单层或叠层薄膜制备
工艺模式 支持热 ALD、等离子增强 PEALD 双工艺路线
均匀性表现 片内膜厚均匀性、片间及批次间一致性经量产级验证

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