面向中试放大与小批量生产开发的时序式 ALD 设备，腔体最大兼容 φ500mm 大尺寸基板，配套专用载盘可实现单批次同步装载 13 片 4 英寸基底；标配热 ALD 工艺，可选配 CCP 电容耦合等离子体系统实现 PEALD 沉积，适用于半导体、钙钛矿器件、显示光学、功能涂层等领域的工艺验证与小批量制备。