根据您的先进封装需求定制的ALD 解决方案
专为先进封装中的导电通孔、绝缘层和种子层而设计
精确控制和高度均匀性有助于减少缺陷并改善先进封装创新和生产
支持更小尺寸、更多层级的先进封装设计，助力技术迭代
原子层控制以满足微米和纳米级沉积需求
高密度、高保形涂层，实现均匀、可靠的覆盖
| 设备型号 | TALD-200 |
| 温控系统 | 衬底 RT~350℃，腔壁、气路 RT~200℃ 分区独立控温 |
| 前驱体系统 | 最大支持 5 路前驱体源，支持 H₂O 氧化反应 |
| 可选 ICP 等离子体系统 |
1. 远程立式感应耦合构架，石英电离腔和工艺腔上下分隔布置 2. 电离腔 RT~200℃ 独立加热，控温精度 ±1℃；对接法兰内置水冷循环，保护密封件 3. N₂/ Ar/ O₂/ H₂/ NH₃ 等气源可选，采用隔膜阀 + 质量流量计精准控制流量 4. 13.56MHz 射频电源，额定功率 1.5kW，功率不稳定性 ≤2%，配套自动阻抗匹配单元 |
| 其他可选配置 | 臭氧发生器、粉末旋转沉积模块、原位晶振膜厚监测仪 |
