原子层沉积（ALD）设备在半导体、光学、MEMS及光伏领域具有关键应用，支持制备超均匀、高保形性的薄膜，并实现原子级厚度控制。
即使在复杂三维结构、深孔及高深宽比元件表面，该设备也能实现精确镀膜，是支撑下一代技术发展的理想解决方案。
原子层沉积（ALD）属于化学气相沉积（CVD）技术的一种。其工艺通过交替通入不同的化学气相前驱体，在基体表面发生自限制性化学反应，最终逐层沉积形成薄膜，从而实现对膜厚的精确控制。
精确的膜厚控制
您可以将其理解为“逐层沉积薄膜”，每一循环仅沉积一个原子层，从而在沉积过程中实现对薄膜厚度的精准调控。
优异的均匀性与保形性
这种逐层生长的特性使ALD能够在复杂结构或高深宽比表面上形成高度均匀的薄膜，避免局部过厚，并确保每个角落均被完整覆盖。
热ALD与等离子体ALD可选
热ALD（TALD）利用热源加热前驱体气体实现原子层沉积，适用于高温沉积场景；等离子体ALD（PEALD）则通过等离子体激发前驱体气体，在较低温度下完成沉积，更适用于温度敏感材料。
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如您正致力于半导体、光学、MEMS或光伏器件研发，并面临复杂结构上的薄膜沉积挑战，ALD技术当为不二之选。我们的设备能够实现膜厚的精准控制、卓越的均匀性，并能完美覆盖高深宽比结构。欢迎联系，获取定制ALD解决方案。
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