5月29日，在无锡举办的2026未来半导体生态大会暨CSPT Awards 2026颁奖盛典上，广东汇成真空科技股份有限公司（HCVAC）自主研发的“玻璃深孔溅射设备”荣获“iTGV玻璃基板产业化贡献奖”。该奖项由来自清华大学、上海交通大学、江城实验室以及长电科技、通富微电等近40家产学研机构组成的专家评审团联合评选，重点表彰在玻璃基板材料、TGV工艺开发、关键装备验证及产业化应用方面取得突出贡献的企业。
随着AI大模型训练、高性能计算（HPC）、HBM高带宽存储、Chiplet异构集成及CPO光电共封装快速发展，先进封装已成为后摩尔时代最重要的技术创新方向。
作为下一代先进封装的重要载体，Glass Core Substrate（玻璃基板）凭借低翘曲、高尺寸稳定性、优异高频性能及超高互连密度等优势，正成为全球半导体产业重点布局方向。
目前，Intel、三星电机、LG Innotek、台积电、日月光、Absolics等国际龙头企业均已启动玻璃基板相关研发与产业化布局，玻璃基板被普遍认为是支撑未来AI服务器、HBM4/5、高速交换芯片及硅光互连的重要基础平台。(TrendForce)
在中国市场，沃格光电、奕成科技等企业正积极推进玻璃基板制造与TGV工艺开发；长电科技、通富微电等先进封装企业持续探索玻璃基板在下一代封装架构中的应用，产业链生态正在加速形成。
实现玻璃通孔（TGV）与异质整合，AI与半导体基板之次世代金属化技术
高深宽比金属化技术：实现深TGV结构中的优异种子层覆盖率，深宽比最高可达15:1
Cluster集群式镀膜平台：高效率全自动化集群式系统，集成预清洁、溅射镀膜与除气模块，适用于6-8英寸晶圆或玻璃面板
优异附着力：针对Ti/Cu种子层与玻璃／聚合物基板之间的关键附着可靠性进行优化（适用于RDL制备）
在玻璃基板制造过程中，TGV（Through Glass Via）通孔金属化是实现高密度垂直互连的核心工艺。
对于孔径仅20μm级别、深宽比超过15:1的玻璃通孔而言，如何实现孔壁连续、均匀且可靠的种子层沉积，是制约产业化的重要技术挑战。
针对这一行业痛点，汇成真空推出先进封装与TGV专用PVD平台，通过自主开发的玻璃深孔溅射技术，实现高深宽比TGV结构的种子层沉积，为后续铜电镀填孔及RDL再布线工艺提供关键基础。
深孔溅射
•最小孔径：20μm；
•最大深宽比：15:1；
•兼容310mm/510mm/600mm 及业界最大 700mmx700mm 等不同面板尺寸；
•台阶覆盖率6%以上。
RDL
•表面均匀性：≤5%；
•铜层致密光滑；
•结合力：≥8N/cm3；
•兼容310mm/510mm/600mm 及业界最大 700mmx700mm 等不同面板尺寸。
相关技术已广泛面向先进封装、玻璃基板、Chiplet、HBM、硅光芯片及CPO等应用场景开展验证。
此次获奖不仅体现了行业对汇成真空在TGV关键装备领域技术创新能力的认可，也标志着国产真空装备企业正逐步进入全球玻璃基板产业链核心环节。
未来，汇成真空将持续围绕先进封装、玻璃基板、硅光芯片、光电融合及AI基础设施等战略方向，加大高端PVD装备研发投入，推动关键工艺装备国产化突破，与产业链合作伙伴共同推进Glass Substrate、TGV及先进封装技术的规模化应用，为中国半导体产业高质量发展贡献力量。
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