采用ICP辅助磁控溅射的光学膜层低吸收和低应力，加工各类带通膜和截止膜，如人脸识别(Face lD)、中远红外高透膜；磁控溅射各类金属，如Cu, Al, Cr, Au, Ag, SUS等，工艺开发改善深孔镀膜,镀膜层具有优异的台阶覆盖性能,应用于MEMS芯片封装。
设备模块化设计,可结合等离子清洗(Plasma-clean)单元，磁控溅射(SPT)单元，等离子增强化学反应(PECVD)单元，原子层沉积(ALD)单元，以及等离子化学反应刻蚀(RIE)单元，拓展成簇式加工中心，涵盖半导体微纳结构加工的基材清洗、薄膜沉积(含超薄薄膜)和图案化刻蚀整套工序。满足严格的薄膜沉积均匀性规格，最大程度减少了高应力薄膜缺陷，提高产量而降低成本。
| 晶圆尺寸 | 装载量 |
| 4″ | 16 |
| 6″ | 12 |
| 8″ | 9 |
| 12″ | 5 |
