采用负载锁定型溅射技术，射频、直流、HiPIMS高功率脉冲磁控溅射、脉冲偏压等模块化组合，进出料室可使用五个基材托盘，自动升降传输基材，提高生产率，支持多个阴极同时溅射，镀制多层膜，自动处理工艺并记录数据。
广泛应用于电子元器件的研发和生产，在陶瓷、玻璃、金属上镀制金属膜或电阻膜，实现通孔全覆盖镀膜，TGV深径比高达15:1，TCV孔径20um，深径比20:1。
为您的先进封装定制专属TGV 解决方案
专为先进封装中的导电通孔、绝缘层和种子层而设计
提高生产效率的同时降低您的生产成本
支持更小尺寸和多层膜设计，加速技术升级
可靠加热控制系统
成熟的磁控溅射技术
| 阴极 | 平面磁控管阴极/旋转圆柱阴极 |
| 电源 | DC/DC脉冲/MF/RF |
| 托盘尺寸 | L510xW515(可定制化) |
| 抽气系统 | 进出料室:粗抽料室:粗抽泵+分子泵 镀膜室:分子泵/低温泵 |
| 加热系统 | 最高400°C |
| 均匀度 | 士1.2% |
| 保压 | <0.1Pa |
| PVD铜厚度 | Max.10um |
| 极限压力 | 3.0x10-5 Pa |
| 抽空时间 | 3min内直至2.0 * 10-2 Pa |
