对于芯片级别的EMI封装，基于磁控溅射的PVD镀膜方案是目前技术上最先进、性能最优异的解决方案。它通过等离子清洗 + Ti/Cr粘结层 + Cu导电层的多层结构，在芯片表面构建了一层坚固、致密、高导电的“金属盔甲”，完美地平衡了屏蔽效能、可靠性、厚度和成本，是推动5G、AI、物联网等高端芯片发展的关键使能技术之一。
PVD是当前芯片EMI屏蔽的主流技术，尤其适用于先进封装和小型化器件。
磁控溅射： 这是目前最主流、技术最成熟的方案。
原理： 在真空腔内，利用氩气辉光放电产生等离子体，氩离子在磁场增强下轰击金属靶材，将靶材原子溅射出来，沉积在芯片封装表面形成薄膜。
优点：
镀膜质量高： 薄膜致密、均匀、附着力好。
台阶覆盖性好： 能很好地覆盖封装体的侧壁。
可镀材料广泛： 可溅射Cu, Al, Ni, Ag及合金等多种金属。
工艺稳定，重复性好。
真空蒸镀：
原理： 在真空下通过电阻加热或电子束轰击加热金属，使其熔融蒸发，蒸气原子在较冷的芯片表面凝结成膜。
优点： 设备相对简单，成膜速率快，纯度较高。
应用： 更多用于对覆盖均匀性要求不高的场合，或作为溅射的补充。
对于高性能、高可靠性的芯片EMI屏蔽，磁控溅射是首选PVD工艺。
