在半导体制造或其他高性能光学器件制造中，通过物理气相沉积技术在晶圆基片上沉积各种光学功能薄膜的完整体系。
兼容4至12英寸自动基片传输系统
洁净环境下沉积的薄膜缺陷率低
沉积工艺稳定，薄膜重复性高
基于在制基片的实时直接监控
晶圆级光学镀膜对精度、均匀性、材料和缺陷控制的要求达到了极致。
光子集成电路
波导材料：沉积SiO₂、Si₃N₄、Ta₂O₅、非晶硅等薄膜，作为光信号的传输通道。
调制器/探测器材料：沉积LiNbO₃（铌酸锂）、Ge（锗）等。
MEMS器件
结构层/牺牲层：沉积多晶硅、SiO₂、SiN等，用于构建微机械结构。
反射镜：在微镜表面沉积高反射率的金属（如铝）或介质镜膜堆。
VCSEL激光器
DBR分布布拉格反射镜：这是核心技术，由数十甚至上百对高低折射率材料（如GaAs/AlGaAs， SiO₂/Ta₂O₅）交替组成，需要极高的厚度控制和极低的界面损耗。
光学传感器
滤光片：沉积红外截止滤光片、带通滤光片等，用于CMOS图像传感器、3D传感等。
抗反射膜：在传感器窗口或透镜上沉积AR膜，减少光损失。
先进封装
隔离与保护：沉积SiO₂、SiN薄膜用于晶圆级封装的介电层和钝化层。
在晶圆级光学镀膜中，磁控溅射 是绝对的主导技术，但根据具体需求也会用到其他技术。
| PVD技术 | 原理简述 | 在晶圆光学镀膜中的特点与应用 |
|---|---|---|
| 磁控溅射 | 利用磁场约束等离子体，用高能离子轰击靶材，使靶材原子溅射到晶圆上成膜。 | 首选技术。 • 优点：膜层致密、附着力强、均匀性好、台阶覆盖性好、可镀材料广泛（金属、合金、介质）。 • 应用：几乎涵盖所有光学膜，如SiO₂、SiN、Ta₂O₅、Nb₂O₅、Al、Cu等。 |
| 电子束蒸发 | 用电子束轰击靶材，使其熔化蒸发，沉积到晶圆上。 | 特定应用。 • 优点：沉积速率快，薄膜纯度高，应力可控。 • 缺点：台阶覆盖性差（保形性差），附着力通常不如溅射。 • 应用：对保形性要求不高的DBR镜、一些红外光学膜。 |
| 离子束溅射 | 单独的电离源产生离子束，单独的控制电极引导和加速离子束轰击靶材。 | 超高精度应用。 • 优点：工艺参数完全独立可控，膜层质量极高（极低吸收和散射）、应力可精确调控。 • 缺点：设备昂贵，沉积速率慢，靶材利用率低。 • 应用：激光陀螺仪、引力波探测等超高精度光学元件。 |
