我们的TALD系统（热原子层沉积）专为以下领域的精密薄膜镀膜而设计：
太阳能：钙钛矿和晶体硅太阳能电池
微电子：MEMS、MLCC、SAW、BAW、SiC MOSFET
光电子：LED、Micro-LED、OLED、VECSEL、AR/VR
复杂部件：光学镜头、超黑涂层以及复杂金属部件上的耐磨薄膜
……
即使在复杂的3D表面上，也能确保均匀、高质量的涂层。非常适合对深沟槽和高深宽比结构进行高精度、一致性的镀膜。
根据您的需求定制的TALD 解决方案
非常适合深孔和高纵横比结构
该薄膜极其致密，几乎没有针孔。
原子层控制以满足微米和纳米级沉积需求
自限性反应确保出色的可重复性和一致性
适合大面积均匀沉积或批量生产
| 基片尺寸 | 50~300mm | 200x200mm | φ300x400mm |
| 前驱体 | 可配置不同的前驱体 | ||
| 典型工艺 | Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, TiN, AIN, etc | ||
| 抽真空时间 | 8.0×10-2Pa≤25分钟 | ||
| 沉积温度 | 50~400C | ||
| 沉积速率 | 8 s/cycle | ||
| 均匀性 | ±1% | ||
| 选配臭氧源/等离子体源 | |||
