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先进封装TGV/TSV原子层沉积ALD设备

Atomic layer deposition (ALD) Equipment​
TGV

这款ALD设备是一款专为TGV(玻璃通孔)和TSV(硅通孔)等先进封装技术设计的高性能镀膜设备。

它能够在玻璃或硅基板上精确沉积钛、铜和氧化铝等功能层,形成高质量的绝缘层和种子层,满足先进封装对可靠性和微结构精度的严格要求。

产品优势

Customization

定制化

根据您的先进封装需求定制的ALD 解决方案

TGV-CGV

TGV/TSV工艺

专为先进封装中的导电通孔、绝缘层和种子层而设计

Higher

良率更高

精确控制和高度均匀性有助于减少缺陷并改善先进封装创新和生产

Future

前瞻性

支持更小尺寸、更多层级的先进封装设计,助力技术迭代

High-precision

高精密

原子层控制以满足微米和纳米级沉积需求

Quality

优质

高密度、高保形涂层,实现均匀、可靠的覆盖

技术参数

基片尺寸 50~300mm 200x200mm φ300x400mm
前驱体 可配置不同的前驱体
典型工艺 Al2O3, TiO2, SiO2, Ta2O5, HfO2, TiN, AIN, etc
抽真空时间 8.0×10-2Pa≤25分钟
沉积温度 50~400C
沉积速率 8 s/cycle
均匀性 ±1%
选配臭氧源/等离子体源

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