HCLAB系列是基于模块化，可扩展和高度可定制平台的卷绕镀膜系统，适用于各种基材和应用，它专为从实验室到生产的所有过程和产品鉴定步骤而设计，此外，它适用于柔性玻璃的涂层。
HCLAB系列使用与我们的卷绕镀膜系统相同的关键组件进行工业生产，但是规模较小，因此，我们的客户可以在实验室条件下测试其应用，并在将其产品升级到批量生产时节省时间。
HCLAB系列概念提供了多种绕线系统配置，此外，卷绕系统的辊子部分可以重新配置，以适应新的需求并满足。
HCLAB系列设备是小型的模块化卷绕镀膜系统，该系统是为实现从实验室样品到量产，进行工艺和产品认证而专门设计的。此外，它还适用于给柔性玻璃镀膜，设备虽以适用小规模生产为主，但也配备了与工业生产用卷绕镀膜系统相同的核心组件。因此，我们的客户可以在实验室条件下测试其应用情况，然后再扩大规模进行量产。
根据不同需要设计生产
独特的可变工艺部分布置
研发或小规模生产
实验室规模高效转移大规模生产
可灵活配置的不同绕线系统
多样化工艺可选
| 型号 | HCLAB-300 |
| 宽幅(mm) | Max.300 |
| 基材 | 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金属箔, 纺织品等 |
| 基材厚度 | 23微米～250微米 |
| 可配置工艺 | |
| RSM可旋转单磁控管 | 我们成熟的旋转磁控管技术可实现最高的目标利用率和最佳的工艺稳定性。单管阴极也可采用双阳极溅射技术。 |
| RDM可旋转双磁控管 | 双旋转装置可用于使用两个部分的交流或双极功率溅射。 |
| SSM标准单磁控管 | 可靠、标准的单平面磁控管适用于各种可能的目标材料，用于研发和试产。 |
| 气体分离 | 用于主动泵送气体分离的部分使相邻过程之间的分离系数达到可靠的1:100。 |
| 预处理辉光放电装置 | 预处理组件，如辉光放电装置或线性离子源，可集成以改善涂层或涂层参数，例如附着力。 |
| PECVD，热蒸发 | 柔性工艺部分是开放的，用于集成特定的客户涂层组件，例如PECVD或热蒸发。 |
| DAS双阳极溅射 | 支持长期稳定的直流溅射以降低敏感基底上的热负荷 |
| 工业 | 使用阻抗控制、PEM或高级模式的经验证的无功溅射控制系统 |
| 数据分析 | 工艺数据和回顾性趋势分析的最新工艺数据库 |
| 型号 | HCLAB-600 |
| 宽幅(mm) | Max.600 |
| 基材 | 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金属箔, 纺织品等 |
| 基材厚度 | 23微米～250微米 |
| 可配置工艺 | |
| RSM可旋转单磁控管 | 我们成熟的旋转磁控管技术可实现最高的目标利用率和最佳的工艺稳定性。单管阴极也可采用双阳极溅射技术。 |
| RDM可旋转双磁控管 | 双旋转装置可用于使用两个部分的交流或双极功率溅射。 |
| SSM标准单磁控管 | 可靠、标准的单平面磁控管适用于各种可能的目标材料，用于研发和试产。 |
| 气体分离 | 用于主动泵送气体分离的部分使相邻过程之间的分离系数达到可靠的1:100。 |
| 预处理辉光放电装置 | 预处理组件，如辉光放电装置或线性离子源，可集成以改善涂层或涂层参数，例如附着力。 |
| PECVD，热蒸发 | 柔性工艺部分是开放的，用于集成特定的客户涂层组件，例如PECVD或热蒸发。 |
| DAS双阳极溅射 | 支持长期稳定的直流溅射以降低敏感基底上的热负荷 |
| 工业 | 使用阻抗控制、PEM或高级模式的经验证的无功溅射控制系统 |
| 数据分析 | 工艺数据和回顾性趋势分析的最新工艺数据库 |
| 型号 | HCLAB-900 |
| 宽幅(mm) | Max.900 |
| 基材 | 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金属箔, 纺织品等 |
| 基材厚度 | 23微米～250微米 |
| 可配置工艺 | |
| RSM可旋转单磁控管 | 我们成熟的旋转磁控管技术可实现最高的目标利用率和最佳的工艺稳定性。单管阴极也可采用双阳极溅射技术。 |
| RDM可旋转双磁控管 | 双旋转装置可用于使用两个部分的交流或双极功率溅射。 |
| SSM标准单磁控管 | 可靠、标准的单平面磁控管适用于各种可能的目标材料，用于研发和试产。 |
| 气体分离 | 用于主动泵送气体分离的部分使相邻过程之间的分离系数达到可靠的1:100。 |
| 预处理辉光放电装置 | 预处理组件，如辉光放电装置或线性离子源，可集成以改善涂层或涂层参数，例如附着力。 |
| PECVD，热蒸发 | 柔性工艺部分是开放的，用于集成特定的客户涂层组件，例如PECVD或热蒸发。 |
| DAS双阳极溅射 | 支持长期稳定的直流溅射以降低敏感基底上的热负荷 |
| 工业 | 使用阻抗控制、PEM或高级模式的经验证的无功溅射控制系统 |
| 数据分析 | 工艺数据和回顾性趋势分析的最新工艺数据库 |
| 型号 | HCLAB-1200 |
| 宽幅(mm) | Max.1200 |
| 基材 | 聚合物薄膜, 柔性玻璃, 金属箔, 纺织品等 |
| 基材厚度 | 23微米～250微米 |
| 可配置工艺 | |
| RSM可旋转单磁控管 | 我们成熟的旋转磁控管技术可实现最高的目标利用率和最佳的工艺稳定性。单管阴极也可采用双阳极溅射技术。 |
| RDM可旋转双磁控管 | 双旋转装置可用于使用两个部分的交流或双极功率溅射。 |
| SSM标准单磁控管 | 可靠、标准的单平面磁控管适用于各种可能的目标材料，用于研发和试产。 |
| 气体分离 | 用于主动泵送气体分离的部分使相邻过程之间的分离系数达到可靠的1:100。 |
| 预处理辉光放电装置 | 预处理组件，如辉光放电装置或线性离子源，可集成以改善涂层或涂层参数，例如附着力。 |
| PECVD，热蒸发 | 柔性工艺部分是开放的，用于集成特定的客户涂层组件，例如PECVD或热蒸发。 |
| DAS双阳极溅射 | 支持长期稳定的直流溅射以降低敏感基底上的热负荷 |
| 工业 | 使用阻抗控制、PEM或高级模式的经验证的无功溅射控制系统 |
| 数据分析 | 工艺数据和回顾性趋势分析的最新工艺数据库 |
