目标：在陶瓷（如Al₂O₃, AlN, LTCC）基板上，特别是通孔侧壁，沉积一层致密、连续、附着力佳、电阻率低的金属种子层，为后续的电镀加厚提供基础。
关键挑战：
高深宽比覆盖性：通孔深且窄，要求PVD工艺具有优异的阶梯覆盖能力。
附着力：陶瓷与金属是异质材料，结合困难。
膜层连续性：防止在孔内出现空洞或裂缝，确保电镀导通。
热匹配与应力：金属与陶瓷热膨胀系数差异大，膜层内应力控制至关重要。
对于TCV金属化，磁控溅射 是几乎唯一可行的PVD工艺，因为它能提供最佳的附着力和膜层质量。
为何选择磁控溅射？
高能粒子轰击：溅射粒子能量高，有助于在陶瓷表面形成强结合力。
膜层致密：膜层密度高，无柱状结构，导电性和阻隔性好。
工艺灵活：可溅射多种金属（Ti, Cr, Cu, Ni等）及其合金。
结合力最佳：通过偏压溅射等技术，可获得远超蒸镀的结合强度。
一个典型的TCV陶瓷基板金属化PVD方案通常采用 “结合层/阻挡层 → 导电种子层” 的多层结构。
第一步：前处理（至关重要）
精密清洗：
使用丙酮、乙醇等进行超声波清洗，去除有机物和颗粒。
必要时进行酸洗或等离子清洗，去除表面氧化物和污染物。
等离子体活化：
在真空腔内进行反向溅射 或 氩离子轰击。
作用：物理轰击去除最后一道单分子污染层，并在陶瓷表面产生悬挂键和缺陷，极大增强膜层的机械咬合和化学结合力。
第二步：沉积结合层/阻挡层
目的：
提供附着力：与陶瓷形成牢固的化学键（氧化物）。
防止扩散：阻止后续铜原子向陶瓷内扩散，影响可靠性。
常用材料：Ti（钛）、Cr（铬） 或 TiW（钛钨）。
工艺：在氩气氛围中溅射沉积一层薄而致密的Ti或Cr膜（通常50-200nm）。
第三步：沉积导电种子层
目的：提供低电阻的导电通路，为后续电镀铜提供阴极。
常用材料：Cu（铜）。因其电阻率极低，且是电镀的主体。
工艺：在结合层之上，溅射沉积一层较厚的Cu膜（通常0.5-2μm）。
关键：确保Cu层在通孔侧壁和底部连续、无空洞。
